增強型MOS管（E-MOS管）是一種電壓控制型半導體器件，在電路設計中具有廣泛的應用。其工作特性表現為：當柵極端子沒有電壓施加時，通道展現最大的電導率；而當柵極端子兩端施加正或負電壓時，溝道的電導率會隨之降低，從而實現對電流的有效控制。

二、增強型MOS管結構組成

襯底：選用低摻雜的P型硅片作為襯底，為后續(xù)的器件制作提供基礎支撐。

源極與漏極：通過擴散工藝在襯底上形成兩個高摻雜的N+區(qū)，并分別引出源極（S）和漏極（D）的電極，這兩個區(qū)域是電子流入和流出的主要通道。

柵極：在半導體表面覆蓋一層SiO?絕緣層，其上再制作一層金屬鋁并引出電極，作為柵極（G）。通常將柵極與襯底連接，這樣在襯底與柵極之間形成電容結構。當柵極與源極之間的電壓發(fā)生變化時，會改變襯底靠近絕緣層處的感應電荷數量，進而控制漏極電流的大小。

三、增強型MOS管工作原理

（一）無電壓施加狀態(tài)

當柵極和源極之間未施加電壓時，由于漏極和源極之間存在電壓差，會有少量電流在漏源之間流動。此時，導電溝道尚未完全形成，電流較小。

（二）正電壓施加過程

當在柵極（VGG）處施加正電壓時，少數載流子（空穴）受到排斥，而多數載流子（電子）被吸引向SiO?層。隨著VGG處正電位的逐漸增加，一定量的漏極電流（ID）開始在源極和漏極之間流動。進一步提高VGG的正電位，來自源極的電子流動得到增強，并且受VGG電壓的推動作用，漏極電流ID也隨之增加。由于電子流的增強效應，這種模式被稱為增強模式MOS管。

四、增強型MOS管的開啟電壓

增強型MOS管的開啟電壓大于零，這是其重要的電氣特性之一。

其工作原理緊密依賴于柵源電壓（VGS）的控制作用。當柵源之間未施加電壓時，漏源之間的PN結處于反向偏置狀態(tài)，無法形成有效的導電溝道，即使在漏源之間施加電壓，也不會有顯著電流通過。而當柵源之間施加的正向電壓達到一定值（即開啟電壓VGS(th)）時，漏源之間形成導電通道，器件開始導通。

當VGS超過開啟電壓后，MOS管進入導通區(qū)，此時漏源電流（iDS）會隨著VGS的增加而增大，同時輸出電壓（UDS）相應減小。如果漏源電阻（rDS）遠小于負載電阻（RD），則輸出電壓UDS可近似為0V，表明MOS管處于良好的“接通”狀態(tài)，能夠有效地實現電路的通斷控制功能。
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