金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS集成電路。
n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管結(jié)構(gòu)
上圖對比可知，對于P型MOSFET，其寄生體二極管的陽極與漏極相連，陰極與源極相連；而對于N型MOSFET，其寄生體二極管的陽極與源極相連，陰極與漏極相連。
P型MOSFET和N型MOSFET的體二極管的陰陽極連接剛好相反。因此P型MOSFET和N型MOSFET，雖然從外觀上無法區(qū)分，但是用萬用表測試其寄生體二極管的陰陽極與漏源極的連接關(guān)系，便可區(qū)分開來。
另外一種區(qū)分MOSFET是P型還是N型的方法是看開通該MOSFET，門極對源極是需要正電平還是負(fù)電平。
對于N型MOSFET，若要將其開通，需要門極對源極（VGS）加一個(gè)正電壓（該電壓需要高于該MOSFET的門限電壓），例如+10V。而對于P型MOSFET，如要將其開通，需要門極對源極(VGS)加一個(gè)負(fù)電壓（該負(fù)電壓需要低于該MOSFET的門限電壓），例如-10V。
MOS管的N溝道與P溝道之間的關(guān)系
純半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能很差，但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強(qiáng)其導(dǎo)電能力。N型MOSFET會引入額外可移動的負(fù)電荷（電子），此時(shí)為N型（N溝道）參雜，在N型MOSFET中電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。P型MOSFET在半導(dǎo)體中產(chǎn)生帶正電荷的空穴，此時(shí)為P型（P溝道）參雜，在P型MOSFET中空穴為多數(shù)載流子，電子為少數(shù)載流子。
n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管工作原理
僅含有一個(gè)P--N結(jié)的二極管工作過程，如下圖所示，我們知道在二極管加上正向電壓時(shí)（P端接正極，N端接負(fù)極），二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過，這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動，從而形成導(dǎo)通電流。
同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動，其PN結(jié)沒有電流通過，二極管截止。
對于N溝道場效應(yīng)管（見圖1），在柵極沒有電壓時(shí)，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會有電流流過，此時(shí)場效應(yīng)管處于截止?fàn)顟B(tài)（圖1a），當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場效應(yīng)管柵極時(shí)（見圖1b），
由于電場的作用，此時(shí)N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見圖1b），
從而形成電流，使源極和漏極導(dǎo)通，我們也可以想象為兩個(gè)N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭建了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。
圖2給出了P溝道的MOS場效應(yīng)管的工作過程，其工作原理類似。
n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管區(qū)別
1、從外形上看：
p溝道的mos管比同規(guī)格的n溝道的要粗一些；
2、從導(dǎo)電性能看：
p溝道和n溝道相比，前者要比后者的電阻低一些（當(dāng)然這只是一個(gè)方面）。
3、從耐溫性看：
一般來說，相同規(guī)格下同等材質(zhì)的情況下（如都是硅片），p溝道的耐高溫能力要強(qiáng)于n型。
4、從穩(wěn)定性上比較：
由于工藝的不同導(dǎo)致兩者之間的差異較大；
5、從價(jià)格上分析：
由于制作工藝不同、原材料的不同以及成本等因素的影響使得兩者的價(jià)格相差較大。
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