電路原理：
1、QX7135E33為330mA線性LED恒流驅(qū)動芯片，無使能端。
2、利用PMOS控制QX7135的電源通斷，實現(xiàn)使能功能。
原理說明：
1、控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻時，三極管Q2的基極被拉低到地，為低電平，Q2不導(dǎo)通，進而MOS管Q1的Vgs = 0，MOS管Q1不導(dǎo)通，+5V_OUT 無輸出。
電阻R4是為了在 Control 為高阻時，將三極管Q2的基極固定在低電平，不讓其浮空。
帶軟開啟功能的MOS管電源開關(guān)電路
2、當電源 +5V_IN 剛上電時，要求控制電源開關(guān)的輸入信號 Control 為低電平或高阻，即關(guān)閉三極管Q2，從而關(guān)閉MOS管Q1。因 +5V_IN 還不穩(wěn)定，不能將電源打開向后級電路輸出。
此時等效電路圖如下。
此時電源 +5V_IN 剛上電，使MOS管G極與S極等電勢，即Vgs = 0，令Q1關(guān)閉。
3、電源 +5V_IN 上電完成后，MOS管G極與S極兩端均為5V，仍然Vgs = 0。
4、此時將 Control 設(shè)為高電平（假設(shè)高電平為3.3V），則：
①三極管Q2的基極為0.7V，可算出基極電流Ibe為：
（3.3V - 0.7V） / 基極電阻R3 = 0.26mA
②三級管Q2飽和導(dǎo)通，Vce ≈ 0。電容C1通過電阻R2充電，即C1與G極相連端的電壓由5V緩慢下降到0V，導(dǎo)致Vgs電壓逐漸增大。
③MOS管Q1的Vgs緩慢增大，令其緩慢打開直至完全打開。最終Vgs = -5V。
④利用電容C1的充電時間實現(xiàn)了MOS管Q1的緩慢打開（導(dǎo)通），實現(xiàn)了軟開啟的功能。
MOS管打開時的電流流向如下圖所示：
5、電源打開后，+5V_OUT 輸出為5V電壓。此時將 Control 設(shè)為低電平，三極管Q2關(guān)閉，電容C1與G極相連端通過電阻R2放電，電壓逐漸上升到5V，起到軟關(guān)閉的效果。
軟關(guān)閉一般不是我們想要的，過慢地關(guān)閉電源，可能出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定等異常。過程如下圖。
一般情況下還是放心使用軟啟動功能，伴隨而來的軟關(guān)閉效果一般沒什么影響。
電路參數(shù)設(shè)定說明：
調(diào)整C1、R2的值，可以修改軟啟動的時間。值增大，則時間變長。反之亦然。
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