MOS管構造
MOS管的構造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的 N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。
然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N溝道（NPN 型）增強型MOS管。它的柵極和其它電極間是絕緣的。
MOS管構造:同樣用上述相同的方法在一塊摻雜濃度較低的N型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的P+區，及上述相同的柵極制作過程，就制成為一個P溝道（PNP型）增強型MOS管。
圖1-1所示（a ）、（b）分別是P溝道MOS管道結構圖和代表符號。
MOS管的特性
在MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的，由于SiO2絕緣層的存在，在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在，電壓VGS產生電場從而導致源極-漏極電流的產生。
此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小，控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。
這就可以得出如下結論：
1） MOS 管是一個由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。
2） MOS 管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗極高。
MOS 管的電壓極性和符號規則：
圖1-4-（a）是N溝道MOS管的符號，圖中D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是 P溝道的MOS管。
實際在MOS管生產的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號的規則中，表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區別漏極和源極。
圖1-4-（c）是P溝道MOS管的符號。MOS管應用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負極，柵極G正電壓時導電溝道建立，N溝道MOS管開始工作,如圖1-4-（b）所示。
同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負極，源極S接正極，柵極G負電壓時，導電溝道建立，P溝道MOS管開始工作,如圖1-4-（d）所示。
MOS管種類和結構
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被區分成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。
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