半導體
半導體分為本征半導體和雜質半導體
1. 本征半導體：化學成分純凈的半導體，物理結構呈單晶體形態。
2. 雜質半導體：在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質，可使半導體的導電性發生顯著變化。摻入的雜質主要是三價或五價元素，摻入雜質的本征半導體稱為雜質半導體。
空穴——共價鍵中的空位，
電子–空穴對——由熱激發而產生的自由電子和空穴對。
空穴的移動——空穴的運動是靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空穴來實現的。
自由電子和空穴都稱為載流子
首先我們要來了解PN結
P型半導體——摻入三價雜質元素（如硼）的半導體。
N型半導體——摻入五價雜質元素（如磷）的半導體。
P型材料：
多數載流子為空穴，少子為自由電子；
N型材料：
多數載流子為自由電子，少子為空穴。
共價鍵中的兩個電子稱為價電子，其中某個價電子的離開或缺失就會在原來的位置上形成空穴。
所以。。。
P型半導體中空穴是多數載流子，主要由摻雜形成；
P型半導體中自由電子是少數載流子，由熱激發形成。
空穴很容易俘獲電子，使雜質原子成為負離子。
三價雜質原子因而也稱為受主雜質。
N型半導體中自由電子是多數載流子，由雜質原子提供；
N型半導體中空穴是少數載流子，由熱激發形成。
提供自由電子的五價雜質原子因為帶正電荷而成為正離子
五價雜質原子也稱為施主雜質。
漂移運動：
在電場作用引起的載流子的運動稱為漂移運動。
擴散運動：
由載流子濃度差引起的載流子的運動稱為擴散運動。
PN結的形成
在一塊本征半導體兩側摻入不同的雜質，分別形成N型半導體和P型半導體。
此時將在N型半導體和P型半導體的結合面上形成如下物理過程:
PN結的單向導電性
當外加電壓使PN結中P區的電位高于N區的電位,稱為加正向電壓,簡稱正偏;反之稱為加反向電壓,簡稱反偏
PN結外加正向電壓時表現為低電阻，大的正向擴散電流
PN結外加反向電壓時表現為高電阻，很小的反向漂移電流
這里再提一次
漂移運動：
在電場作用引起的載流子的運動稱為漂移運動。
擴散運動：
由載流子濃度差引起的載流子的運動稱為擴散運動。
另外。。
PN結對的伏安特性
這里我們討論電壓反向的情況。。
一定溫度下，由本征激發決定的少子濃度一定，故少子形成的漂移電流恒定，基本與所加反向電壓大小無關，稱為反向飽和電流。
PN結的反向電壓增加到一定數值時，反向電流突然快速增加，此現象稱為PN結的反向擊穿。
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