MOS管柵極驅(qū)動電阻如何優(yōu)化設計
MOS管的驅(qū)動對其工作效果起著決定性的作用。設計師既要考慮減少開關(guān)損耗，又要求驅(qū)動波形較好即振蕩小、過沖小、EMI小。這兩方面往往是互相矛盾的，需要尋求一個平衡點，即驅(qū)動電路的優(yōu)化設計。
MOS管柵極驅(qū)動電阻：驅(qū)動電路的優(yōu)化設計包含兩部分內(nèi)容：一是最優(yōu)的驅(qū)動電流、電壓的波形；二是最優(yōu)的驅(qū)動電壓、電流的大小。在進行驅(qū)動電路優(yōu)化設計之前，必須先清楚MOS管的模型、MOS管的開關(guān)過程、MOS管的柵極電荷以及MOS管的輸入輸出電容、跨接電容、等效電容等參數(shù)對驅(qū)動的影響。
MOS管的模型
MOS管的等效電路模型及寄生參數(shù)如圖1所示。圖1中各部分的物理意義為：
（1）LG和LG代表封裝端到實際的柵極線路的電感和電阻。
（2）C1代表從柵極到源端N+間的電容，它的值是由結(jié)構(gòu)所固定的。
（3）C2+C4代表從柵極到源極P區(qū)間的電容。C2是電介質(zhì)電容，共值是固定的。而C4是由源極到漏極的耗盡區(qū)的大小決定，并隨柵極電壓的大小而改變。當柵極電壓從0升到開啟電壓UGS（th）時，C4使整個柵源電容增加10%～15%。
（4）C3+C5是由一個固定大小的電介質(zhì)電容和一個可變電容構(gòu)成，當漏極電壓改變極性時，其可變電容值變得相當大。
（5）C6是隨漏極電壓變換的漏源電容。
MOS管輸入電容（Ciss）、跨接電容（Crss）、輸出電容（Coss）和柵源電容、柵漏電容、漏源電容間的關(guān)系如下：
MOS管的開通過程
開關(guān)管的開關(guān)模式電路如圖2所示，二極管可是外接的或MOS管固有的。開關(guān)管在開通時的二極管電壓、電流波形如圖3所示。
在圖3的階段1開關(guān)管關(guān)斷，開關(guān)電流為零，此時二極管電流和電感電流相等；在階段2開關(guān)導通，開關(guān)電流上升，同時二極管電流下降。開關(guān)電流上升的斜率和二極管電流下降的斜率的絕對值相同，符號相反；在階段3開關(guān)電流繼續(xù)上升，二極管電流繼續(xù)下降，并且二極管電流符號改變，由正轉(zhuǎn)到負；
在階段4，二極管從負的反向最大電流IRRM開始減小，它們斜率的絕對值相等；在階段5開關(guān)管完全開通，二極管的反向恢復完成，開關(guān)管電流等于電感電流。
圖4是存儲電荷高或低的兩種二極管電流、電壓波形。從圖中可以看出存儲電荷少時，反向電壓的斜率大，并且會產(chǎn)生有害的振動。而前置電流低則存儲電荷少，即在空載或輕載時是最壞條件。所以進行優(yōu)化驅(qū)動電路設計時應著重考慮前置電流低的情況，即空載或輕載的情況，應使這時二極管產(chǎn)生的振動在可接受范圍內(nèi)。
柵極電荷QG和驅(qū)動效果的關(guān)系
柵極電荷QG是使柵極電壓從0升到10V所需的柵極電荷，它可以表示為驅(qū)動電流值與開通時間之積或柵極電容值與柵極電壓之積。現(xiàn)在大部分MOS管的柵極電荷QG值從幾十納庫侖到一、兩百納庫侖。
柵極電荷QG包含了兩個部分：柵極到源極電荷QGS；柵極到漏極電荷QGD—即“Miller”電荷。QGS是使柵極電壓從0升到門限值（約3V）所需電荷；QGD是漏極電壓下降時克服“Miller”效應所需電荷，這存在于UGS曲線比較平坦的第二段（如圖5所示），此時柵極電壓不變、柵極電荷積聚而漏極電壓急聚下降，也就是在這時候需要驅(qū)動尖峰電流限制，這由芯片內(nèi)部完成或外接電阻完成。
實際的QG還可以略大，以減小等效RON，但是太大也無益，所以10V到12V的驅(qū)動電壓是比較合理的。這還包含一個重要的事實：需要一個高的尖峰電流以減小MOS管損耗和轉(zhuǎn)換時間。
優(yōu)化柵極驅(qū)動設計
MOS管柵極驅(qū)動電阻：在大多數(shù)的開關(guān)功率應用電路中，當柵極被驅(qū)動，開關(guān)導通時漏極電流上升的速度是漏極電壓下降速度的幾倍，這將造成功率損耗增加。為了解決問題可以增加柵極驅(qū)動電流，但增加柵極驅(qū)動上升斜率又將帶來過沖、振蕩、EMI等問題。優(yōu)化柵極驅(qū)動設計，正是在互相矛盾的要求中尋求一個平衡點，而這個平衡點就是開關(guān)導通時漏極電流上升的速度和漏極電壓下降速度相等這樣一種波形，理想的驅(qū)動波形如圖6所示。
圖6的UGS波形包括了這樣幾部分：
UGS第一段是快速上升到門限電壓；UGS第二段是比較緩的上升速度以減慢漏極電流的上升速度，但此時的UGS也必須滿足所需的漏極電流值；UGS第四段快速上升使漏極電壓快速下降；UGS第五段是充電到最后的值。
當然，要得到完全一樣的驅(qū)動波形是很困難的，但是可以得到一個大概的驅(qū)動電流波形，其上升時間等于理想的漏極電壓下降時間或漏極電流上升的時間，并且具有足夠的尖峰值來充電開關(guān)期間的較大等效電容。該柵極尖峰電流IP的計算是：電荷必須完全滿足開關(guān)時期的寄生電容所需。
結(jié)論
本文詳細介紹了MOS管的電路模型、開關(guān)過程、輸入輸出電容、等效電容、電荷存儲等對MOS管驅(qū)動波形的影響，及根據(jù)這些參數(shù)對驅(qū)動波形的影響進行的驅(qū)動波形的優(yōu)化設計實例，取得了較好的實際效果。
影響MOSFET開關(guān)速度除了其本身固有Tr,Tf外,還有一個重要的參數(shù):Qg (柵極總靜電荷容量).該參數(shù)與柵極驅(qū)動電路的輸出內(nèi)阻共同構(gòu)成了一個時間參數(shù),影響著MOSFET的性能。
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