１、功率管發燒

要留意，大多數場合特別是LED市電驅動應用，開關損害要弘遠于導通損耗。頻率與導通損耗也成正比，所以功率管發燒時，首先要想想是不是頻率選擇的有點高。

B、剩下的就是頻率和芯片驅動能力了，這里只談頻率的影響。假如電感飽和電流夠大，可以考慮將CCM(連續電流模式)改變成DCM(非連續電流模式)，這樣就需要增加一個負載電容了。想辦法降低頻率吧!不外要留意，當頻率降低時，為了得到相同的負載能力，峰值電流必定要變大或者電感也變大，這都有可能導致電感進入飽和區域。功率管的功耗分成兩部門，開關損耗和導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動能力和工作頻率有關，所以要解決功率管的發燒可以從以下幾個方面解決：A、不能片面根據導通電阻大小來選擇MOS功率管，由于內阻越小，cgs和cgd電容越大。 如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時，夠用就可以了。

２、電感或者變壓器的選擇

有的工程師沒有留意到這個現象，直接調節sense電阻或者工作頻率達到需要的電流，這樣做可能會嚴峻影響LED的使用壽命。變壓器飽和時，L會變小，導致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升，那么LED的峰值電流也隨著增加。碰到這種情況，要看看電感電流波形。 在均勻電流不變的條件下，只能看著光衰了。有些在相同的驅動電路，用a出產的電感沒有題目，用b出產的電感電流就變小了。所以說，在設計前，公道的計算是必需的，假如理論計算的參數和調試參數差的有點遠，要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。

３、芯片發燒

假如c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，留意不要引入額外的功耗。 驅動芯片的最大電流來自于驅動功率mos管的消耗，簡樸的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所認為了降低芯片的功耗，必需想辦法降低c、v和f。如果芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發燒。再簡樸一點，就是考慮更好的散熱吧。這主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。

４、LED電流大小

以前問過LED廠這個數據，他們說30%以內都可以接受，不外后來沒有經由驗證，假如散熱解決的不好的話，LED一定要降額使用。大家都知道LEDripple過大的話，LED壽命會受到影響，影響有多大，也沒見過哪個專家說過。也但愿有專家能給個詳細指標，要不然影響LED的推廣。建議仍是盡量控制小點。

５、工作頻率降頻

對于前者，留意不要將負載電壓設置的太高，固然負載電壓高，效率會高點。這個也是用戶在調試過程中比較常見的現象，降頻主要由兩個方面導致。。不管如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。對于后者，可以嘗試以下幾個方面：a、將最小電流設置的再小點；b、布線干凈點，特別是sense這個樞紐路徑；c、將電感選擇的小點或者選用閉合磁路的電感；d、加RC低通濾波吧，這個影響有點不好，C的一致性不好，偏差有點大，不外對于照明來說應該夠了。輸入電壓和負載電壓的比例小、系統干擾大。

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